我國(guó)首臺(tái)！芯片制造核心裝備取得重要突破
來(lái)源：科技日?qǐng)?bào) 時(shí)間：2026-01-19 15:45
記者1月17日從中核集團(tuán)中國(guó)原子能科學(xué)研究院獲悉，由該院自主研制的我國(guó)首臺(tái)串列型高能氫離子注入機(jī)（POWER-750H）成功出束，核心指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。這標(biāo)志著我國(guó)已全面掌握串列型高能氫離子注入機(jī)的全鏈路研發(fā)技術(shù)，攻克了功率半導(dǎo)體制造鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，為推動(dòng)高端制造裝備自主可控、保障產(chǎn)業(yè)鏈安全奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
離子注入機(jī)與光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備并稱(chēng)為芯片制造“四大核心裝備”，是半導(dǎo)體制造不可或缺的“剛需”設(shè)備。長(zhǎng)期以來(lái)，我國(guó)高能氫離子注入機(jī)完全依賴(lài)國(guó)外進(jìn)口，其研發(fā)難度大、技術(shù)壁壘高，是制約我國(guó)關(guān)鍵技術(shù)產(chǎn)業(yè)升級(jí)發(fā)展的瓶頸之一。
中國(guó)原子能科學(xué)研究院依托在核物理加速器領(lǐng)域數(shù)十年的深厚積累，以串列加速器技術(shù)作為核心手段，破解一系列難題，完全掌握了串列型高能氫離子注入機(jī)從底層原理到整機(jī)集成的正向設(shè)計(jì)能力，打破了國(guó)外企業(yè)在該領(lǐng)域的技術(shù)封鎖和長(zhǎng)期壟斷，將有力提升我國(guó)在功率半導(dǎo)體等關(guān)鍵領(lǐng)域的自主保障能力，更為助力“雙碳”目標(biāo)實(shí)現(xiàn)、加快發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力提供強(qiáng)有力技術(shù)支撐。
責(zé)任編輯：江蓬新
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